FF200R12KT4HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FF200R12KT4HOSA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Корпус: AG-62MM-1
- Монтаж: винтами
- Мощность: 1.1кВт
- топология: полумост IGBT
- Тип модуля: IGBT
- Ток коллектора: 200А
- Рабочая температура: -40...150°C
- Импульсный ток: 400А
- Конструкция диода: транзистор/транзистор
- Электрический монтаж: винтами
- Обратное напряжение макс.: 1.2кВ
- Напряжение затвор - эмиттер: ±20В