Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTFF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами, Infineon

Арт:
FF200R12KT4HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FF200R12KT4HOSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Корпус: AG-62MM-1
    • Монтаж: винтами
    • Мощность: 1.1кВт
    • топология: полумост IGBT
    • Тип модуля: IGBT
    • Ток коллектора: 200А
    • Рабочая температура: -40...150°C
    • Импульсный ток: 400А
    • Конструкция диода: транзистор/транзистор
    • Электрический монтаж: винтами
    • Обратное напряжение макс.: 1.2кВ
    • Напряжение затвор - эмиттер: ±20В