Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTFF200R17KE4HOSA1

FF200R17KE4HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,7кВ; Ic:200А; P:1,25кВт; Ifsm:400А, Infineon

Арт:
FF200R17KE4HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,7кВ; Ic:200А; P:1,25кВт; Ifsm:400А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FF200R17KE4HOSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax:1,7кВ; Ic:200А; P:1,25кВт; Ifsm:400А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Power: 1.25kW
    • Topology: IGBT half-bridge
    • Collector current: 200A
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Off state voltage max.: 1.7kV
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Max. forward impulse current: 400A
    • Mounting: screw
    • Case: AG-62MM-1