FF200R17KE4HOSA1, Полумост IGBT; Urmax:1,7кВ; Ic:200А; P:1,25кВт; Ifsm:400А, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FF200R17KE4HOSA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax:1,7кВ; Ic:200А; P:1,25кВт; Ifsm:400А
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Power: 1.25kW
- Topology: IGBT half-bridge
- Collector current: 200A
- Operating temperature: -40...125°C
- Module type: IGBT
- Electrical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Off state voltage max.: 1.7kV
- Semiconductor structure: transistor/transistor
- Max. forward impulse current: 400A
- Mounting: screw
- Case: AG-62MM-1