Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTFS200R12KT4RB11BOSA1

FS200R12KT4RB11BOSA1, 3-фазный мост IGBT, термистор NTC; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1кВт, Infineon

Арт:
FS200R12KT4RB11BOSA1, 3-фазный мост IGBT, термистор NTC; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1кВт, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FS200R12KT4RB11BOSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: 3-фазный мост IGBT, термистор NTC; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1кВт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Power: 1kW
    • Topology: IGBT three-phase bridge
    • Technology: EconoPACK™ 3
    • Collector current: 200A
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: Press Fit
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Max. forward impulse current: 400A
    • Mounting: screw
    • Case: AG-ECONO3-4