MG100HF12MRC1, Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; C1 34mm; винтами; 415Вт, YANGJIE TECHNOLOGY
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: MG100HF12MRC1
- Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
- Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; C1 34mm; винтами; 415Вт
- Склад:
Технические параметры
- Topology: IGBT half-bridge
- Collector current: 100A
- Module type: IGBT
- Electrical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Off state voltage max.: 1.2kV
- Semiconductor structure: transistor/transistor
- Pulsed collector current: 200A
- Mounting: screw
- Case: C1 34mm
- Power dissipation: 415W