Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTMG100HF12MRC1

MG100HF12MRC1, Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; C1 34mm; винтами; 415Вт, YANGJIE TECHNOLOGY

Арт:
MG100HF12MRC1, Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; C1 34mm; винтами; 415Вт, YANGJIE TECHNOLOGY
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MG100HF12MRC1
  • Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; C1 34mm; винтами; 415Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Topology: IGBT half-bridge
    • Collector current: 100A
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Pulsed collector current: 200A
    • Mounting: screw
    • Case: C1 34mm
    • Power dissipation: 415W