BSC059N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 38Вт, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSC059N04LS6ATMA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 38Вт
- Склад:
Технические параметры
- Technology: OptiMOS™ 6
- Drain current: 100A
- Gate charge: 9.4nC
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Drain-source voltage: 40V
- Mounting: SMD
- Case: PG-TDSON-8 FL
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 5.9mΩ
- Power dissipation: 38W