Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTDAGNH75600

DAGNH75600, Полумост IGBT; Urmax: 600В; Ic: 75А; P: 350Вт; HB9434; винтами; NPT, DACO SEMICONDUCTOR

Арт:
DAGNH75600, Полумост IGBT; Urmax: 600В; Ic: 75А; P: 350Вт; HB9434; винтами; NPT, DACO SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: DAGNH75600
  • Производитель: DACO SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax: 600В; Ic: 75А; P: 350Вт; HB9434; винтами; NPT
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Power: 350W
    • Topology: IGBT half-bridge
    • Technology: NPT
    • Collector current: 75A
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Off state voltage max.: 600V
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Pulsed collector current: 150A
    • Mounting: screw
    • Case: HB9434