КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTSEMIX603GB12E4SICP

SEMIX603GB12E4SICP, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ, SEMIKRON

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SEMIX603GB12E4SICP
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ Технические параметры
    • Application: Inverter
    • Case: SEMiX® 3p
    • Collector current: 600A
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: SEMIKRON
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Pulsed collector current: 1.2kA
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Technology: Trench
    • Topology: NTC thermistor