КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTSKIIP 10NAB12T4V1 M20

SKIIP 10NAB12T4V1 M20, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 4А, SEMIKRON

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SKIIP 10NAB12T4V1 M20
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 4А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 4А Технические параметры
    • Application: Inverter
    • Case: MiniSKiiP® 1
    • Collector current: 4A
    • Electrical mounting: Press-Fit
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: SEMIKRON
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Pulsed collector current: 12A
    • Semiconductor structure: diode/transistor
    • Topology: three-phase diode bridge