КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTSKIIP 12HEB066V1 M20

SKIIP 12HEB066V1 M20, SKIIP12HEB066V1, SEMIKRON

Арт:
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    SKIIP12HEB066V1 Технические параметры
    • Application: Inverter
    • Case: MiniSKiiP® 1
    • Collector current: 15A
    • Electrical mounting: Press-Fit
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: SEMIKRON
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 600V
    • Pulsed collector current: 40A
    • Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT
    • Topology: single-phase diode-thyristor bridge