Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTFF900R12ME7B11BOSA1

FF900R12ME7B11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ, Infineon

Арт:
FF900R12ME7B11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FF900R12ME7B11BOSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Topology: NTC thermistor
    • Technology: TRENCHSTOP™
    • Collector current: 900A
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Pulsed collector current: 1.8kA
    • Mounting: screw
    • Case: AG-ECONOD-5