КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTA1P35S12M3

A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А, STM

Арт:
A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А, STM
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: A1P35S12M3
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Topology: NTC thermistor
    • Application: motors
    • Collector current: 35A
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: Press-in PCB
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Pulsed collector current: 70A
    • Mounting: screw
    • Case: ACEPACK™1
    • Power dissipation: 250W