Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTF475R12KS4BOSA1

F475R12KS4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А, Infineon

Арт:
F475R12KS4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: F475R12KS4BOSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Topology: NTC thermistor
    • Technology: EconoPACK™ 2
    • Collector current: 75A
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: Press-in PCB
    • Mechanical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Pulsed collector current: 150A
    • Case: AG-ECONO2-6
    • Power dissipation: 500W