Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTMG06150S-BN4MM

MG06150S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MG06150S-BN4MM
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Topology: IGBT half-bridge
    • Collector current: 150A
    • Module type: IGBT
    • Electrical mounting: screw
    • Mechanical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Off state voltage max.: 600V
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Pulsed collector current: 300A
    • Case: package S