HGTG10N120BND, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 298Вт; TO247, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: HGTG10N120BND
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 298Вт; TO247
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Корпус: TO247
- Монтаж: THT
- Мощность: 298 Вт
- Ток коллектора: 35 А
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1.2 кВ