КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыДиодные модулиIXBX75N170

IXBX75N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; PLUS247™, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXBX75N170
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; PLUS247™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; PLUS247™ Технические параметры
    • Case: PLUS247™
    • Collector current: 75A
    • Collector-emitter voltage: 1.7kV
    • Features of semiconductor devices: high voltage
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate charge: 350нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 1.04kW
    • Pulsed collector current: 580A
    • Technology: FRED
    • Turn-off time: 840ns
    • Turn-on time: 277ns
    • Type of transistor: IGBT