КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETNTHS4101PT1G

NTHS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 0,7Вт; ChipFET, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTHS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 0,7Вт; ChipFET, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTHS4101PT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 0,7Вт; ChipFET
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 0,7Вт; ChipFET Технические параметры
    • Case: ChipFET
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -4.8A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 34mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.7W
    • Type of transistor: P-MOSFET