КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETNTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTJD4001NT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт; SOT363
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт; SOT363 Технические параметры
    • Case: SOT363
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 0.18A
    • Drain-source voltage: 30V
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.5Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.272W
    • Type of transistor: N-MOSFET