NTR1P02LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23-3, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: NTR1P02LT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23-3
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: -1.3A
- Gate charge: 3.1nC
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±12V
- Drain-source voltage: -20V
- Mounting: SMD
- Case: SOT23-3
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 220mΩ
- Power dissipation: 0.4W