КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETNTR2101PT1G

NTR2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTR2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTR2101PT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23 Технические параметры
    • Case: SOT23
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -3A
    • Drain-source voltage: -8V
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 52mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.96W
    • Type of transistor: P-MOSFET