Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETSTB120N4F6

STB120N4F6, Транзистор: N-MOSFET, STM

Арт:
STB120N4F6, Транзистор: N-MOSFET, STM
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: SuperMesh™
    • Drain current: 80A
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 40V
    • Pulsed drain current: 320A
    • Mounting: SMD
    • Case: D2PAK
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 4mΩ
    • Power dissipation: 110W