КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETSTB6NK60ZT4

STB6NK60ZT4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,8А; 110Вт; D2PAK, STM

Арт:
STB6NK60ZT4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,8А; 110Вт; D2PAK, STM
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: STB6NK60ZT4
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,8А; 110Вт; D2PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,8А; 110Вт; D2PAK Технические параметры
    • Manufacturer: STM
    • Technology: SuperMesh™
    • Drain current: 3.8A
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Drain-source voltage: 600V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Mounting: SMD
    • Case: D2PAK
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 1200mΩ
    • Power dissipation: 110W