КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETSTB80N20M5

STB80N20M5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 38А; 190Вт; D2PAK, STM

Арт:
STB80N20M5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 38А; 190Вт; D2PAK, STM
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: STB80N20M5
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 38А; 190Вт; D2PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 38А; 190Вт; D2PAK Технические параметры
    • Case: D2PAK
    • Drain current: 38A
    • Drain-source voltage: 200V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate-source voltage: ±25V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: STM
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 23mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 190W
    • Technology: SuperMesh™
    • Type of transistor: N-MOSFET