STP18N55M5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 550В; 10А; 110Вт; TO220-3, STM
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: STP18N55M5
- Производитель: STM
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 550В; 10А; 110Вт; TO220-3
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 550В; 10А; 110Вт; TO220-3 Технические параметры
- Case: TO220-3
- Drain current: 10A
- Drain-source voltage: 550V
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
- Gate-source voltage: ±25V
- Kind of package: tube
- Manufacturer: STM
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 192mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 110W
- Technology: SuperMesh™
- Type of transistor: N-MOSFET
Документация
tmstp18n55m5.pdf