КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETSTP8NK100Z

STP8NK100Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 160Вт; TO220-3, STM

Арт: 301-70-846
STP8NK100Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 160Вт; TO220-3, STM
  • добавить в избранное
  • Арт: 301-70-846
  • Наименование: STP8NK100Z
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 160Вт; TO220-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 160Вт; TO220-3 Технические параметры
    • Case: TO220-3
    • Continuous Drain Current (Id): 6.5A
    • Drain current: 4.3A
    • Drain-source voltage: 1000V
    • Drain-Source Voltage (Vds): 1kV
    • Fall Time: 30ns
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate-Source Voltage: 30V
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Height Units: 3
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: STM
    • Mounting: THT
    • Mounting Type: Through Hole
    • ON Resistance (Rds(on)): 1.6Ω
    • On-State Resistance: 1850mΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-220AB
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 160W
    • Power Dissipation (Pd): 160W
    • Rise Time: 19ns
    • Technology: SuperMesh™
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 59ns
    • Turn-ON Delay Time: 28ns
    • Type of transistor: N-MOSFET