КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETSPD06N80C3ATMA1

SPD06N80C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM; полевой; 800В; 3,8А; Idm: 18А; 83Вт, Infineon

Арт:
SPD06N80C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM; полевой; 800В; 3,8А; Idm: 18А; 83Вт, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SPD06N80C3ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; CoolMOSTM; полевой; 800В; 3,8А; Idm: 18А; 83Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: CoolMOS™
    • Drain current: 3.8A
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 800V
    • Pulsed drain current: 18A
    • Mounting: SMD
    • Case: PG-TO252-3
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 900mΩ
    • Power dissipation: 83W