КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTBSM10GP120

BSM10GP120, Модуль: IGBT; 1,2кВ; 10А; 100Вт; PIM, Infineon

Арт:
BSM10GP120, Модуль: IGBT; 1,2кВ; 10А; 100Вт; PIM, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BSM10GP120
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; 1,2кВ; 10А; 100Вт; PIM
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; 1,2кВ; 10А; 100Вт; PIM Технические параметры
    • Application: Inverter
    • Case: PIM
    • Collector current: 10A
    • Electrical mounting: soldered
    • Gate - emitter voltage: 20V
    • Housing: PIM
    • Manufacturer: Infineon
    • Max. forward impulse current: 230A
    • Module type: IGBT
    • Mount: THT
    • Mounting: screwed
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Semiconductor structure: diode/transistor
    • Topology: 3-phase rectifier
    • Transistor type: IGBT
    • Мощность: 100W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 1.2kV