Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTSTT181GK08B

STT181GK08B, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 800В; 181А; 34MM, Sirectifier

Арт:
STT181GK08B, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 800В; 181А; 34MM, Sirectifier
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: STT181GK08B
  • Производитель: Sirectifier
  • Доп.наименование: Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 800В; 181А; 34MM
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Load current: 181A
    • Module type: thyristor
    • Gate current: 150mA
    • Electrical mounting: screw
    • Mechanical mounting: screw
    • Max. forward voltage: 1.65V
    • Threshold on-voltage: 0.88V
    • Off state voltage max.: 800V
    • Semiconductor structure: double series
    • Max. forward impulse current: 5.25kA
    • Features of semiconductor devices: glass passivated
    • Case: 34MM
    • Max. load current: 284A