Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTSTT165GK12B

STT165GK12B, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,2кВ; 165А, Sirectifier

Арт:
STT165GK12B, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,2кВ; 165А, Sirectifier
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: STT165GK12B
  • Производитель: Sirectifier
  • Доп.наименование: Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,2кВ; 165А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Load current: 165A
    • Module type: thyristor
    • Gate current: 150mA
    • Electrical mounting: screw
    • Mechanical mounting: screw
    • Max. forward voltage: 1.36V
    • Threshold on-voltage: 0.8V
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: double series
    • Max. forward impulse current: 5.25kA
    • Features of semiconductor devices: glass passivated
    • Case: 34MM
    • Max. load current: 300A