Модули IGBT Семейство Модули биполярного транзистора с изолированным затвором
С управлением по напряжению
Простое параллельное переключение
Высокая допустимая перегрузка
Высокие частоты переключения
Мощность включения и прочность соответствуют силовому МОП-транзистору
Каждый биполярный транзистор с изолированным затвором оснащен встречным диодом
Некоторые модули оснащены встроенным выпрямителем мощности и тормозным модулятором (PIM) для основного напряжения от 230 до 690 V и выше Технические параметры
- Крепление: 4 x M2
- Соединение: Штырьки для пайки
- Тип корпуса: EconoPACK™3
- Configuration: 3-phase
- Ток коллектора: 200 A Tc=25 °C
- Напряжение коллектор-эммитер: 1200 В
- Рассеяние энергии во время включения: 16 mJ
- Рассеяние энергии во время выключения: 17 mJ
- Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 2.15 В