КаталогАктивные компонентыАналоговые микросхемыВЧ микросхемыМикросхемы ВЧ-усилителейMMZ25333BT1

MMZ25333BT1, RF Amplifier, InGaP/GaAs HBT, 1.5 ... 2.7GHz, 43dB, HVQFN-24, NXP

Арт: 302-93-854
MMZ25333BT1, RF Amplifier, InGaP/GaAs HBT, 1.5 ... 2.7GHz, 43dB, HVQFN-24, NXP
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-93-854
  • Наименование: MMZ25333BT1
  • Производитель: NXP
  • Доп.наименование: RF Amplifier, InGaP/GaAs HBT, 1.5 ... 2.7GHz, 43dB, HVQFN-24
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    RF Amplifier, InGaP/GaAs HBT, 1.5 ... 2.7GHz, 43dB, HVQFN-24 Технические параметры
    • Amplifier Type: Linear Power
    • Height: 0.85mm
    • Length: 4mm
    • Manufacturer: NXP
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • Operating Frequency Max.: 2.7GHz
    • Operating Frequency Min.: 1.5GHz
    • Output Power (Ip3): 42.8dBm
    • Output Power (P1): 32dBm
    • Outputs: 1
    • Package Type: HVQFN
    • Packaging: Tape & Reel
    • Ports: 24
    • Power Gain (Gp): 43dB
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Ripple & Noise (%): -999
    • Supply Current: 265mA
    • Supply Voltage Max.: 5V
    • Technology: InGaP/GaAs HBT
    • Width: 4mm