Фототранзистор; 860нм; 35В; 40°; 75мВт; t(on): 400мкс Технические параметры
- Collector-emitter voltage: 35V
- Manufacturer: NTE
- Mounting: THT
- Photodetector type: phototransistor
- Turn-off time: 300µs
- Turn-on time: 400µs
- Viewing angle: 40°
- Wavelength of peak sensitivity: 860
- Мощность: 75mW