IR-photodiode 850 nm 5 mm Семейство ИК-фотодиоды
Фотодиоды: для работы требуется внешний источник напряжения. Луч падающего света ведет к увеличению напряжению отпирания диода.
Чем выше прилагаемое напряжение, тем быстрее фотодиод реагирует на изменение светового сигнала. Технические параметры
- Manufacturer: Osram Opto Semiconductors
- Корпус: 5 мм
- Темновой ток: 2 nA
- Угол передачи: 120 °
- Ток фотоэлемента: 0.7...200 µA
- Ток фотоэлемента, мин.: 0.7 µA
- Ток фотоэлемента, макс.: 200 µA
- Напряжение в закрытом состоянии: 32 В
- Длина волны макс. фоточувствительности: 850 nm
