IR-photodiode 900 nm 5 mm Семейство ИК-фотодиоды
Фотодиоды: для работы требуется внешний источник напряжения. Луч падающего света ведет к увеличению напряжению отпирания диода.
Чем выше прилагаемое напряжение, тем быстрее фотодиод реагирует на изменение светового сигнала. Технические параметры
- Manufacturer: Osram Opto Semiconductors
- Корпус: 5 мм
- Темновой ток: 2 nA
- Угол передачи: 130 °
- Ток фотоэлемента: 0.3...50 µA
- Ток фотоэлемента, мин.: 0.3 µA
- Ток фотоэлемента, макс.: 50 µA
- Напряжение в закрытом состоянии: 32 В
- Длина волны макс. фоточувствительности: 900 nm
