IR-photodiode 950 nm DIL-2 Семейство ИК-фотодиоды
Фотодиоды: для работы требуется внешний источник напряжения. Луч падающего света ведет к увеличению напряжению отпирания диода.
Чем выше прилагаемое напряжение, тем быстрее фотодиод реагирует на изменение светового сигнала. Технические параметры
- Manufacturer: Osram Opto Semiconductors
- Корпус: DIL-2
- Темновой ток: 2 nA
- Угол передачи: 120 °
- Ток фотоэлемента: 34 µA
- Ток фотоэлемента, мин.: 34 µA
- Ток фотоэлемента, макс.: 34 µA
- Напряжение в закрытом состоянии: 20 В
- Длина волны макс. фоточувствительности: 950 nm
