Photodiode 900 nm 150 mW T1 3/4 Семейство ИК-фотодиоды
Фотодиоды: для работы требуется внешний источник напряжения. Луч падающего света ведет к увеличению напряжению отпирания диода.
Чем выше прилагаемое напряжение, тем быстрее фотодиод реагирует на изменение светового сигнала. Технические параметры
- Fall Time Max.: 5ns
- Manufacturer: Osram Opto Semiconductors
- Power Dissipation (Pd) Max.: 150mW
- Reverse Dark Current Max.: 1nA
- Reverse Light Current: 50µA
- Reverse Voltage Max.: 20V
- Ripple & Noise (%): -999
- Rise Time Max.: 5ns
- Spectral Bandwidth Max.: 1.1µm
- Spectral Bandwidth Min.: 750
- Wavelength of Peak Sensitivity: 900