4N30M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:5,25кВ; DIP6, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: 4N30M
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:5,25кВ; DIP6
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Корпус: DIP6
- Монтаж: THT
- CTR@If: 10%@10mA
- Вид выхода: схема Дарлингтона
- Кол-во каналов: 1
- Время включения: 5мкс
- Время выключения: 5мкс
- Напряжение коллектор-эмиттер: 30В
- Тип полупроводникового элемента: оптрон
- Напряжение изоляции: 5.25кВ