КаталогАктивные компонентыОптоэлектроникаОптопарыОптопары с IGBT, MOSFET выходом4N30M

4N30M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:5,25кВ; DIP6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
4N30M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:5,25кВ; DIP6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: 4N30M
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:5,25кВ; DIP6
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:5,25кВ; DIP6 Технические параметры
    • Case: DIP6
    • Collector-emitter voltage: 30V
    • CTR@If: 10%@10mA
    • Housing: DIP6
    • Insulation voltage: 5.25kV
    • Kind of output: схема Дарлингтона
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Number of channels: 1
    • Output type: Darlington
    • Turn-off time: 5µs
    • Turn-on time: 5µs
    • Type of semiconductor component: оптрон
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 30V