КаталогАктивные компонентыОптоэлектроникаОптопарыОптопары с IGBT, MOSFET выходомFOD817B300

FOD817B300, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:5кВ; Uce:70В; DIP4, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-40-271
FOD817B300, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:5кВ; Uce:70В; DIP4, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-40-271
  • Наименование: FOD817B300
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:5кВ; Uce:70В; DIP4
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: DIP4
    • Collector Current Max.: 50mA
    • Collector-Emitter Saturation Voltage Max.: 200mV
    • Collector-emitter voltage: 70V
    • Collector-Emitter Voltage (VCEO) Max.: 70V
    • CTR@If: 130-260%@5mA
    • Current Transfer Ratio (CTR) Max.: 260%
    • Current Transfer Ratio (CTR) Min.: 130%
    • Emitter−Collector Voltage (VECO) Max.: 6V
    • Forward Current (If) Max.: 50mA
    • Forward Voltage (Vf) Max.: 1.2V
    • Housing: DIP4
    • Insulation voltage: 5kV
    • Isolation Voltage: 5kV
    • Kind of output: транзисторный
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Number of channels: 1
    • Operating Temperature Max.: 110°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Output type: transistor
    • Outputs: 1
    • Package Type: DIP-4
    • Power Dissipation (Pd): 150mW
    • Reverse Voltage (Vr): 6V
    • Sensor Output: Phototransistor
    • Turn-off time: 4µs
    • Turn-on time: 4µs
    • Type of semiconductor component: оптрон
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 70V