КаталогАктивные компонентыОптоэлектроникаОптопарыОптопары с IGBT, MOSFET выходомH11G1M

H11G1M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:4,17кВ; Uce:100В, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
H11G1M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:4,17кВ; Uce:100В, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: H11G1M
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:4,17кВ; Uce:100В
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:4,17кВ; Uce:100В Технические параметры
    • Case: DIP6
    • Collector-emitter voltage: 100V
    • CTR@If: 100%@10mA
    • Housing: DIP6
    • Insulation voltage: 4.17kV
    • Kind of output: транзисторный
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Number of channels: 1
    • Output type: transistor
    • Type of semiconductor component: оптрон
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 100V