H11G2M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:4,17кВ; DIP6, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: H11G2M
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:4,17кВ; DIP6
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Корпус: DIP6
- Монтаж: THT
- CTR@If: 100%@10mA
- Вид выхода: схема Дарлингтона
- Кол-во каналов: 1
- Напряжение коллектор-эмиттер: 80В
- Тип полупроводникового элемента: оптрон
- Напряжение изоляции: 4.17кВ