Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыОптоэлектроникаОптопарыОптопары с IGBT, MOSFET выходомH11G2M

H11G2M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:4,17кВ; DIP6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
H11G2M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:4,17кВ; DIP6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: H11G2M
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: схема Дарлингтона; Uизол:4,17кВ; DIP6
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Корпус: DIP6
    • Монтаж: THT
    • CTR@If: 100%@10mA
    • Вид выхода: схема Дарлингтона
    • Кол-во каналов: 1
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 80В
    • Тип полупроводникового элемента: оптрон
    • Напряжение изоляции: 4.17кВ