КаталогАктивные компонентыОптоэлектроникаОптопарыОптопары прочиеH11F1M

H11F1M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: с полевым транзистором; 7кВ; DIP6, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-40-281
H11F1M, Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: с полевым транзистором; 7кВ; DIP6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-40-281
  • Наименование: H11F1M
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: с полевым транзистором; 7кВ; DIP6
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: DIP6
    • Collector Current Max.: 100mA
    • Forward Current (If) Max.: 60mA
    • Forward Voltage (Vf) Max.: 1.75V
    • Housing: DIP6
    • Insulation voltage: 7kV
    • Isolation Voltage: 7.5kV
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Number of channels: 1
    • Operating Temperature Max.: 100°C
    • Operating Temperature Min.: -40°C
    • Output type: transistor
    • Output Type: Transistor
    • Outputs: 1
    • Package Type: DIP-6
    • Power Dissipation (Pd): 100mW
    • Reverse Voltage (Vr): 5V
    • Ripple & Noise (%): -999
    • Turn-off time: 25µs
    • Turn-on time: 25µs
    • Type of semiconductor component: оптрон
    • Тип выхода: с полевым транзистором