Технические параметры
- Корпус: SIL4
- Внешние размеры: 21 x 11 x 3.5мм
- Рабочая температура: -40...85°C
- Исполнение реле: PhotoMOS
- Рабочий ток макс.: 1.3А
- Управляющий ток макс.: 3мА
- Сопротивление в открытом состоянии: 0.34Ом
- Тип реле: полупроводниковое
- Время срабатывания: 0.83мс
- Коммутируемое напряжение: макс. 200В AC