MMBT5551LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 600мА; 225/300мВт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: MMBT5551LT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 600мА; 225/300мВт; SOT23
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Collector current: 600mA
- Collector-emitter voltage: 160V
- Current gain: 30...250
- Polarisation: bipolar
- Mounting: SMD
- Case: SOT23
- Type of transistor: NPN
- Power dissipation: 225/300mW