FCA20N60F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; Idm: 60А; 208Вт; TO3PN, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FCA20N60F
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; Idm: 60А; 208Вт; TO3PN
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 12.5A
- Gate charge: 98nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 600V
- Pulsed drain current: 60A
- Mounting: THT
- Case: TO3PN
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 190mΩ
- Power dissipation: 208W