FDH50N50-F133, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30,8А; Idm: 192А; 625Вт, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDH50N50-F133
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30,8А; Idm: 192А; 625Вт
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 30.8A
- Gate charge: 137nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 500V
- Pulsed drain current: 192A
- Mounting: THT
- Case: TO247-3
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 105mΩ
- Power dissipation: 625W