Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDP8860

FDP8860, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 556А; 254Вт; TO220AB, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDP8860, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 556А; 254Вт; TO220AB, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDP8860
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 556А; 254Вт; TO220AB
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Drain current: 80A
    • Gate charge: 222nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tube
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 30V
    • Pulsed drain current: 556A
    • Mounting: THT
    • Case: TO220AB
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 3.8mΩ
    • Power dissipation: 254W