FDP8860, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 556А; 254Вт; TO220AB, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDP8860
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 556А; 254Вт; TO220AB
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 80A
- Gate charge: 222nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 30V
- Pulsed drain current: 556A
- Mounting: THT
- Case: TO220AB
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 3.8mΩ
- Power dissipation: 254W