FQA13N50C-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8,5А; Idm: 54А; 218Вт; TO3PN, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FQA13N50C-F109
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8,5А; Idm: 54А; 218Вт; TO3PN
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: 8.5A
- Gate charge: 56nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 500V
- Pulsed drain current: 54A
- Mounting: THT
- Case: TO3PN
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 480mΩ
- Power dissipation: 218W