Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQD12P10TM-F085

FQD12P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -6А; Idm: -37,6А; 50Вт; DPAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQD12P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -6А; Idm: -37,6А; 50Вт; DPAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQD12P10TM-F085
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -6А; Idm: -37,6А; 50Вт; DPAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Application: automotive industry
    • Drain current: -6A
    • Gate charge: 27nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Drain-source voltage: -100V
    • Pulsed drain current: -37.6A
    • Mounting: SMD
    • Case: DPAK
    • Type of transistor: P-MOSFET
    • On-State Resistance: 290mΩ
    • Power dissipation: 50W