FQD12P10TM-F085, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -6А; Idm: -37,6А; 50Вт; DPAK, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FQD12P10TM-F085
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -6А; Idm: -37,6А; 50Вт; DPAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Application: automotive industry
- Drain current: -6A
- Gate charge: 27nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: -100V
- Pulsed drain current: -37.6A
- Mounting: SMD
- Case: DPAK
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 290mΩ
- Power dissipation: 50W