FQD2P40TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,98А; Idm: -6,24А; 38Вт, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FQD2P40TM
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,98А; Idm: -6,24А; 38Вт
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Drain current: -0.98A
- Gate charge: 13nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: -400V
- Pulsed drain current: -6.24A
- Mounting: SMD
- Case: DPAK
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 6.5Ω
- Power dissipation: 38W