APT10M09LVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT10M09LVFRG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: POWER MOS 5®
- Drain current: 100A
- Gate charge: 350nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 100V
- Pulsed drain current: 400A
- Mounting: THT
- Case: TO264
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 9mΩ
- Power dissipation: 625W