APT1201R5BVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; TO247-3, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT1201R5BVRG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; TO247-3
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: POWER MOS 5®
- Drain current: 10A
- Gate charge: 28nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Drain-source voltage: 1.2kV
- Mounting: THT
- Case: TO247-3
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 1.5Ω